Для тих, хто не в курсі, Samsung – це не просто південнокорейський гігант споживчої електроніки, але й другий за величиною виробник напівпровідників. За обсягом виробництва чіпів Samsung поступається лише тайваньському чипмейкеру TSMC. Зараз найдосконаліший технологічний процес на виробничих лініях Samsung – це 5-нанометровий техпроцес LPE. Але на цьому корейський виробник зупинятися не збирається і продовжує удосконалювати своє виробництво. Так, зараз він готується до запуску масового виробництва напівпровідникової продукції по 3-нанометровим нормам.
Вперше Samsung анонсувала 3-нанометровий технологічний процес ще в 2019 році. Точніше, тоді були представлені два вузла – 3GAE (3-нм Gate-All-Around Early) і 3GAP (3-нм Gate-All-Around Plus). Samsung обіцяла, що чіпи, виготовлені з використанням нових технологій, будуть відрізнятися низьким рівнем енергоспоживання і одночасно високою продуктивністю. Прогнозувалося, що в порівнянні з вузлом 7LPP приріст продуктивності складе 35%, а енергоспоживання знизиться приблизно на 50%. При цьому площа чіпа буде скорочена приблизно на 45%. Впровадження нового техпроцесу було частиною технічного плану Samsung на 2021 рік. Компанія планувала приступити до масового виробництва 3-нанометрових чіпів до кінця поточного року. Але свої корективи в плани Samsung внесла пандемія коронавірусу і виникла криза напівпровідникової галузі. В результаті підрозділ Samsung Foundry відклав перехід на 3-нанометрові норми на рік. Тепер, як повідомляють інсайдери, компанія розраховує почати масове виробництво 3-нанометрової продукції в кінці 2022 року.
Передбачається, що Samsung буде використовувати технологію 3GAE виключно для виробництва фірмових мобільних процесорів Exynos, використовуваних в лінійці мобільних пристроїв Samsung Galaxy. А ось техпроцес 3GAP буде доступний широкому колу клієнтів, а значить, замовляти у Samsung чіпи, виконані по 3-нанометровому техпроцесу, зможуть інші компанії, в тому числі Apple. Правда, освоєння цих норм планується почати не раніше 2023 року.
