Apple розробляє надшвидкі зарядні пристрої GaN на основі нітриду галію

Компанія Apple розробляє нові швидкі зарядні пристрої на основі технології GaN, повідомляє тайванське галузеве видання DigiTimes.

Очікується, що Navitas Semiconductor отримає замовлення від Apple в 2021 році на рішення для швидкої зарядки на основі нітриду галію або технології GaN. У звіті стверджується, що партнер Apple з виробництва мікросхем TSMC буде поставляти Navitas чіпи GaN в рамках існуючого партнерства.

Ймовірно, Apple планує випустити GaN-версії своїх адаптерів живлення, які будуть меншими і легшими, а також більш енергоефективними і менш теплопровідними в порівнянні з нинішніми зарядними пристроями, заснованими на кремнії. Багато сторонніх виробників аксесуарів, такі як Anker і Belkin, представили зарядні пристрої на основі GaN в останні кілька років.

Navitas є творцем технології GaNFast, розчину нітриду галію, який забезпечує потужність зарядних пристроїв від 24 Вт до 300 Вт.





ІНШІ НОВИНИ